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IRFR9120NTRPBF
Qualität [#varpname#] usine
Qualität [#varpname#] usine

IRFR9120NTRPBF

fabricant:
Infineon Technologies
Beschreibung:
MOSFET P-CH 100V 6,6A DPAK
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Schnelle RFQ
Vorräte:
Bitte schicken Sie eine Anfrage, wir antworten sofort. (*ist obligatorisch)
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Einzelheiten zum Produkt
Typ:
Pkanal mosfet
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
100 V
Auf-Widerstand (RDS (an)):
Maximal Rds ((on): 0,38 Ω bei einem Vgs von -10 V, wodurch geringe Leitverluste gewährleistet werden
Tor-Schwellen-Spannung (Vgs (Th)):
Die Spannung reicht von -2,0 V bis -4,0 V und ermöglicht die Kompatibilität mit Standard-Antriebsspa
Machtverlust:
Maximale Leistungsauslösung: 2,5 W (unter Standardbedingungen).
Schaltverzögerung:
Schnelle Schaltmerkmale, die es für Hochfrequenzanwendungen geeignet machen.
RoHS-Befolgung:
Bleifrei und RoHS-konform, geeignet für umweltfreundliche Konstruktionen.
Beschreibung des Produkts

IRFR9120NTRPBFDatenblatt

Typische Anwendungen

 

1. Gleichspannungskonverter:


- als Schaltvorrichtung in Stromverwaltungsschaltungen zur effizienten Energieumwandlung verwendet.

 

2. Motorantriebe:


- geeignet für die Steuerung von Motoren in Industrie- oder Verbraucheranwendungen.

 

3. Batteriemanagementsysteme (BMS):

 

- Ideal für die Bearbeitung von Lade- und Entladewegen in Elektrofahrzeugen (EV) oder Energiespeichern.

 

4- Ladungsschalter:


- Funktioniert als Lastschalter für verschiedene Schaltkreise.

 

5- Beleuchtungssysteme:


- Häufig in LED-Treibern und Stromversorgungssystemen für Beleuchtungsanwendungen.

 

Der IRFR9120NTRPBF ist ein robustes P-Kanal-MOSFET, das eine Kombination aus geringen Widerständen und schneller Schaltleistung bietet.Dies macht es zu einer ausgezeichneten Wahl für das Strommanagement und das Wechseln von Anwendungen in der Automobilindustrie., Industrie- und Verbraucherelektronik.

IRFR9120NTRPBF VERWANDTE PRODUKTE
Qualität [#varpname#] usine

Im Zuge der Anwendung der Richtlinie 2009/72/EG

ImZC120R078M2H-Datenblatt DieMOSFET-Diskreet mit CoolSiCTM1200 V, 78 mΩ G2 in einem TO-247 4-Pin-Paket mit hoher Kriechleistung baut auf den Stärken der Generation-1-Technologie mit einer signifikanten Verbesserung auf, die eine fortschrittliche Lösung für kostengünstigere,effizientes, kompaktes, einfach zu konstruierendes und zuverlässiges System, das sowohl bei Hard-Schaltbetrieb als auch bei Soft-Schalt-Topologien für alle gängigen Kombinationen von AC-DC, DC-DC eine bessere Leistung bietet,und DC-AC-Phasen. Typische Anwendungen - Ladevorrichtungen für Elektrofahrzeuge.- Online ununterbrochene Stromversorgung (UPS).- String-Wechselrichter.- Schweißgeräte.
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Qualität [#varpname#] usine

Immer noch nicht vollständig erstellt.

Imzc120r053m2hDatenblatt DieMOSFET-Diskreet mit CoolSiCTM1200 V, 53 mΩ G2 in einem TO-247 4-Pin-Paket mit hoher Kriechleistung baut auf den Stärken der Generation-1-Technologie mit einer signifikanten Verbesserung auf, die eine fortschrittliche Lösung für kostengünstigere,effizientes, kompaktes, einfach zu konstruierendes und zuverlässiges System, das sowohl bei Hard-Schaltbetrieb als auch bei Soft-Schalt-Topologien für alle gängigen Kombinationen von AC-DC, DC-DC eine bessere Leistung bietet,und DC-AC-Phasen. Typische Anwendungen - Ladevorrichtungen für Elektrofahrzeuge.- Online ununterbrochene Stromversorgung.- String-Wechselrichter.- Schweißgeräte.
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Qualität [#varpname#] usine

Immer noch nicht vollständig erstellt.

Imzc120R040M2HDatenblatt DieMOSFET-Diskreet mit CoolSiCTM1200 V, 40 mΩ G2 in einem TO-247 4-Pin-Paket mit hoher Kriechleistung baut auf den Stärken der Generation-1-Technologie mit einer signifikanten Verbesserung auf, die eine fortschrittliche Lösung für kostengünstigere,effizientes, kompaktes, einfach zu konstruierendes und zuverlässiges System, das sowohl bei Hard-Schaltbetrieb als auch bei Soft-Schalt-Topologien für alle gängigen Kombinationen von AC-DC, DC-DC eine bessere Leistung bietet,und DC-AC-Phasen. Typische Anwendungen - Ladevorrichtungen für Elektrofahrzeuge.- Online ununterbrochene Stromversorgung.- String-Wechselrichter.- Schweißgeräte.
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Qualität [#varpname#] usine

Immer noch nicht vollständig erstellt

Imzc120R034M2HDatenblatt DieMOSFET-Diskreet mit CoolSiCTM1200 V, 34 mΩ G2 in einem TO-247 4-Pin-Paket mit hoher Kriechleistung baut auf den Stärken der Generation-1-Technologie mit einer signifikanten Verbesserung auf, die eine fortschrittliche Lösung für kostengünstigere,effizientes, kompaktes, einfach zu konstruierendes und zuverlässiges System, das sowohl bei Hard-Schaltbetrieb als auch bei Soft-Schalt-Topologien für alle gängigen Kombinationen von AC-DC, DC-DC eine bessere Leistung bietet,und DC-AC-Phasen. Typische Anwendungen - Ladevorrichtungen für Elektrofahrzeuge.- Online ununterbrochene Stromversorgung.- String-Wechselrichter.- Schweißgeräte.
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Qualität [#varpname#] usine

Immer noch nicht vollständig erstellt.

Imzc120R026M2H-Datenblatt DieMOSFET-Diskreet mit CoolSiCTM1200 V, 26 mΩ G2 in einem TO-247 4-Pin-Paket mit hoher Kriechleistung baut auf den Stärken der Generation-1-Technologie mit einer signifikanten Verbesserung auf, die eine fortschrittliche Lösung für kostengünstigere,effizientes, kompaktes, einfach zu konstruierendes und zuverlässiges System, das sowohl bei Hard-Schaltbetrieb als auch bei Soft-Schalt-Topologien für alle gängigen Kombinationen von AC-DC, DC-DC eine bessere Leistung bietet,und DC-AC-Phasen. Typische Anwendungen - Ladevorrichtungen für Elektrofahrzeuge.- Online ununterbrochene Stromversorgung.- String-Wechselrichter.- Schweißgeräte.
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Qualität [#varpname#] usine

Im Rahmen der Richtlinie 2008/57/EG wird die Richtlinie 2008/57/EG geändert.

Imzc120r022m2hDatenblatt DieMOSFET-Diskreet mit CoolSiCTM1200 V, 22 mΩ G2 in einem TO-247 4-Pin-Paket mit hoher Kriechleistung baut auf den Stärken der Generation-1-Technologie mit einer signifikanten Verbesserung auf, die eine fortschrittliche Lösung für kostengünstigere,effizientes, kompaktes, einfach zu konstruierendes und zuverlässiges System, das sowohl bei Hard-Schaltbetrieb als auch bei Soft-Schalt-Topologien für alle gängigen Kombinationen von AC-DC, DC-DC eine bessere Leistung bietet,und DC-AC-Phasen. Typische Anwendungen - Ladevorrichtungen für Elektrofahrzeuge.- Online ununterbrochene Stromversorgung.- String-Wechselrichter.- Schweißgeräte.
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Qualität [#varpname#] usine

Immer noch nicht.

Imzc120R017M2HDatenblatt DieMOSFET-Diskreet mit CoolSiCTM1200 V, 17 mΩ G2 in einem TO-247 4-Pin-Paket mit hoher Kriechleistung baut auf den Stärken der Generation-1-Technologie mit einer signifikanten Verbesserung auf, die eine fortschrittliche Lösung für kostengünstigere,effizientes, kompaktes, einfach zu konstruierendes und zuverlässiges System, das sowohl bei Hard-Schaltbetrieb als auch bei Soft-Schalt-Topologien für alle gängigen Kombinationen von AC-DC, DC-DC eine bessere Leistung bietet,und DC-AC-Phasen. Typische Anwendungen - Ladevorrichtungen für Elektrofahrzeuge.- Online-Ununterbrechungsnetzteile (UPS). - Optimierer für Solarenergie- String-Wechselrichter.- Schweißgeräte.
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Qualität [#varpname#] usine

Immer noch nicht vollständig erstellt.

Imzc120r012m2hDatenblatt Typische Anwendungen - Allzweckantriebe (GPD). - Ladevorrichtung für Elektrofahrzeuge. - On-line ununterbrochene Stromversorgung (UPS). - Solarenergie-Optimierer. - String-Wechselrichter. - Energiespeichersysteme (ESS). - Schweißgeräte. Der IMZC120R012M2H ist ein 1200 V, 12 mΩ N-Kanal Siliziumcarbid (SiC) MOSFET von Infineon Technologies, entwickelt für hocheffiziente Anwendungen mit hoher Leistungsdichte.
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Qualität [#varpname#] usine

Im Rahmen des Programms werden die in Anhang I aufgeführten Daten für die Einhaltung der Anforderungen der Richtlinie 2008/57/EG verwendet.

Im Rahmen des Programms für die Erfassung von Informationen über die Sicherheit von Flugzeugen und FlugzeugenDatenblatt Typische Anwendungen - Sehr geringe Schaltverluste. - Überlastbetrieb bis TVj= 200 °C. - Kurzschlusszeit von 2 μs. - Robuste Diode für eine harte Umstellung. - XT-Verbindungstechnologie für eine verbesserte thermische Leistung. Der IMZC120R012M2H ist ein 1200 V, 12 mΩ N-Kanal Siliziumcarbid (SiC) MOSFET von Infineon Technologies, entwickelt für hocheffiziente Anwendungen mit hoher Leistungsdichte.
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Qualität [#varpname#] usine

Einheitliche Flugsicherungsanlage

AIMCQ120R160M1T-Datenblatt Typische Anwendungen An Bordladegeräte (OBC): Effiziente Energieumwandlung in Elektrofahrzeugen. Gleichspannungsumrichter: Hocheffizientes Strommanagement in Automobilsystemen. Traktionsumrichter: Antriebssysteme für Elektrofahrzeuge.
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Qualität [#varpname#] usine

Einheit für die Überwachung der Luftfahrt

AIMCQ120R120M1T-Datenblatt Typische Anwendungen An Bordladegeräte (OBC): Effiziente Energieumwandlung in Elektrofahrzeugen. Gleichspannungsumrichter: Hocheffizientes Strommanagement in Automobilsystemen. Traktionsumrichter: Antriebssysteme für Elektrofahrzeuge.
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Qualität [#varpname#] usine

AIMCQ120R080M1T

AIMCQ120R080M1T-Datenblatt Typische Anwendungen An Bordladegeräte (OBC): Effiziente Energieumwandlung in Elektrofahrzeugen. Gleichspannungsumrichter: Hocheffizientes Strommanagement in Automobilsystemen. Traktionsumrichter: Antriebssysteme für Elektrofahrzeuge.
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Qualität [#varpname#] usine

AIMCQ120R060M1T

AIMCQ120R060M1T-Datenblatt Typische Anwendungen An Bordladegeräte (OBC): Effiziente Energieumwandlung in Elektrofahrzeugen. Gleichspannungsumrichter: Hocheffizientes Strommanagement in Automobilsystemen. Traktionsumrichter: Antriebssysteme für Elektrofahrzeuge.
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Qualität [#varpname#] usine

AIMCQ120R040M1T

AIMCQ120R040M1T-Datenblatt Typische Anwendungen An Bordladegeräte (OBC): Effiziente Energieumwandlung in Elektrofahrzeugen. Gleichspannungsumrichter: Hocheffizientes Strommanagement in Automobilsystemen. Traktionsumrichter: Antriebssysteme für Elektrofahrzeuge.
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Qualität [#varpname#] usine

Einheitliche Anweisungen

AIMCQ120R030M1T-Datenblatt Typische Anwendungen An Bordladegeräte (OBC): Effiziente Energieumwandlung in Elektrofahrzeugen. Gleichspannungsumrichter: Hocheffizientes Strommanagement in Automobilsystemen. Traktionsumrichter: Antriebssysteme für Elektrofahrzeuge.
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Qualität [#varpname#] usine

AIMCQ120R020M1T

AIMCQ120R020M1T-Datenblatt Typische Anwendungen An Bordladegeräte (OBC): Effiziente Energieumwandlung in Elektrofahrzeugen. Gleichspannungsumrichter: Hocheffizientes Strommanagement in Automobilsystemen. Traktionsumrichter: Antriebssysteme für Elektrofahrzeuge.
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Qualität [#varpname#] usine

Einheitliche Anweisungen

Einheit für die Überwachung der LuftverkehrssicherheitDatenblatt Typische Anwendungen An Bordladegeräte (OBC): Effiziente Energieumwandlung in Elektrofahrzeugen. Gleichspannungsumrichter: Hocheffizientes Strommanagement in Automobilsystemen. Traktionsumrichter: Antriebssysteme für Elektrofahrzeuge.
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Qualität [#varpname#] usine

CMPDM7002AG TR PBFREI

CMPDM7002AG TR PBFREIDatenblatt
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Qualität [#varpname#] usine

DMP2123LQ-7

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Qualität [#varpname#] usine

DMP2035UVT-7

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DMN61D8L-7

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