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MX2N5115UB/TR

MX2N5115UB/TR

fabricant:

Mikrochiptechnik

Beschreibung:

JFET

Lieferanten-Gerätepaket:

Schnelle RFQ

Vorräte:

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Einzelheiten zum Produkt

Mfr. Teil #:

MX2N5115UB/TR

Lagerbestand:

35000

Produktkategorie:

Transistoren - JFETs

Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):

15 mA @ 15 V

Abflussspannung zur Quelle (Vdss):

30 V

FET-Typ:

P-Kanal

Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:

25pF @ 15V

Typ der Montage:

Oberflächenbefestigung

Betriebstemperatur:

-65°C | 200°C (TJ)

Packung / Gehäuse:

3-SMD, ohne Blei

Leistung - Max.:

500 mW

Produktstatus:

Aktiv

Widerstand - RDS (an):

100 Ohm

Spannungsausfall (V (BR) GSS):

30 V

Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:

3 V @ 1 nA

Beschreibung des Produkts

MX2N5115UB/TR VERWANDTE PRODUKTE

Die Kommission kann die Kommission auffordern, die erforderlichen Maßnahmen zu ergreifen.

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Die Angabe der Größenordnung ist in Anhang I zu entnehmen.

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Die Kommission kann die Kommission auffordern, die erforderlichen Maßnahmen zu ergreifen.

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Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:

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Die Kommission kann die Kommission auffordern, die erforderlichen Maßnahmen zu ergreifen.

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Die Kommission kann die Kommission auffordern, die erforderlichen Maßnahmen zu ergreifen.

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Die Kommission kann die Mitgliedstaaten auffordern, die in Artikel 4 Absatz 1 genannten Maßnahmen zu ergreifen.

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