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RN1113 ((T5L,F,T)

Qualität [#varpname#] usine

RN1113 ((T5L,F,T)

fabricant:

Toshiba Electronic Devices und Storage Corporation

Beschreibung:

Trans Prebias NPN 50V 0,1A SSM

Lieferanten-Gerätepaket:

SSM

Schnelle RFQ

Vorräte:

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Einzelheiten zum Produkt

Mfr. Teil #:

RN1113 ((T5L,F,T)

Lagerbestand:

3000

Produktkategorie:

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, vorgebildet

Strom - Kollektor (Ic) (maximal):

100 MA

Strom - Sammlergrenze (maximal):

100nA (ICBO)

Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:

120 @ 1mA, 5V

Häufigkeit - Übergang:

250 MHz

Typ der Montage:

Oberflächenbefestigung

Packung / Gehäuse:

SC-75, SOT-416

Leistung - Max.:

100 mW

Produktstatus:

Aktiv

Widerstand - Basis (R1):

47 kOhms

Transistortyp:

NPN - Vor-voreingenommen

Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic:

300mV @ 250μA, 5mA

Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):

50 V

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