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DTA113ZCAT116

DTA113ZCAT116

fabricant:

ROHM Halbleiter

Beschreibung:

PNP, SOT-23, R1R2 LEAK ABSORPTIO

Lieferanten-Gerätepaket:

SST3

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Einzelheiten zum Produkt

Mfr. Teil #:

DTA113ZCAT116

Lagerbestand:

3000

Produktkategorie:

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, vorgebildet

Strom - Kollektor (Ic) (maximal):

100 MA

Strom - Sammlergrenze (maximal):

500nA

Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:

33 @ 5mA, 5V

Häufigkeit - Übergang:

250 MHz

Typ der Montage:

Oberflächenbefestigung

Packung / Gehäuse:

Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:

Leistung - Max.:

200 mW

Produktstatus:

Aktiv

Widerstand - Basis (R1):

kOhms 1

Widerstand - Emitterbasis (R2):

10 kOhms

Transistortyp:

PNP - Vorabverzerrt

Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic:

300mV @ 500µA, 10mA

Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):

50 V

Beschreibung des Produkts

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