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RN1107,LXHF(CT

RN1107,LXHF(CT

fabricant:

Toshiba Electronic Devices und Storage Corporation

Beschreibung:

Auto AEC-Q NPN Q1BSR = 10K

Lieferanten-Gerätepaket:

SSM

Schnelle RFQ

Vorräte:

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Einzelheiten zum Produkt

Mfr. Teil #:

RN1107,LXHF(CT

Lagerbestand:

6000

Produktkategorie:

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, vorgebildet

Strom - Kollektor (Ic) (maximal):

100 MA

Strom - Sammlergrenze (maximal):

500nA

Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:

80 @ 10mA, 5V

Häufigkeit - Übergang:

250 MHz

Typ der Montage:

Oberflächenbefestigung

Packung / Gehäuse:

SC-75, SOT-416

Leistung - Max.:

100 mW

Produktstatus:

Aktiv

Widerstand - Basis (R1):

10 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2):

47 kOhms

Transistortyp:

NPN - Vor-voreingenommen

Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic:

300mV @ 250μA, 5mA

Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):

50 V

Beschreibung des Produkts

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