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BCR555E6433

BCR555E6433

fabricant:

Infineon Technologies

Beschreibung:

BIPOLAREN digitalen Transistoren

Lieferanten-Gerätepaket:

PG-SOT23-3-3

Schnelle RFQ

Vorräte:

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Einzelheiten zum Produkt

Mfr. Teil #:

BCR555E6433

Lagerbestand:

500000

Produktkategorie:

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, vorgebildet

Strom - Kollektor (Ic) (maximal):

500 MA

Strom - Sammlergrenze (maximal):

100nA (ICBO)

Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:

70 @ 50mA, 5V

Häufigkeit - Übergang:

150 MHZ

Typ der Montage:

Oberflächenbefestigung

Packung / Gehäuse:

Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:

Leistung - Max.:

330 mW

Produktstatus:

Aktiv

Widerstand - Basis (R1):

2,2 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2):

10 kOhms

Transistortyp:

PNP - Vorabverzerrt

Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic:

300mV @ 2.5mA, 50mA

Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):

50 V

Beschreibung des Produkts

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