logo
Created with Pixso. Zu Hause > produits > Getrennte Halbleiter-Produkte >

Die in Absatz 1 genannten Daten sind in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1095/2010 zu entnehmen.

Die in Absatz 1 genannten Daten sind in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1095/2010 zu entnehmen.

fabricant:
Nexperia
Beschreibung:
PDTC114YQC-Q/SOT8009/DFN1412D-
Lieferanten-Gerätepaket:
DFN1412D-3
Schnelle RFQ
Vorräte:
Bitte schicken Sie eine Anfrage, wir antworten sofort. (*ist obligatorisch)
*
*
*
*
Einzelheiten zum Produkt
Mfr. Teil #:
Die in Absatz 1 genannten Daten sind in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1095/2010 zu entnehmen.
Lagerbestand:
5000
Produktkategorie:
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, vorgebildet
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
100 MA
Strom - Sammlergrenze (maximal):
100nA
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
100 @ 5mA, 5V
Häufigkeit - Übergang:
230 MHZ
Typ der Montage:
Oberflächenberg, benetzbare Flanke
Packung / Gehäuse:
3-XDFN-Aufdeckungsplattform
Leistung - Max.:
360 mW
Produktstatus:
Aktiv
Widerstand - Basis (R1):
10 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2):
47 kOhms
Transistortyp:
NPN - Vor-voreingenommen
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
100mV @ 250μA, 5mA
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
50 V
Beschreibung des Produkts